公司通过引进国外最先进的CVD法碳化硅涂层及高温纯化装置与技术，根据客户需要为不同形状，不同结构和大小的石墨件纯化除杂，纯化后的石墨杂质可降至小于5PPM,并采用高温化学气相沉积法沉积指定厚度的碳化硅涂层。
相比以往的工艺，CVD法生产的碳化硅晶体结构致密，晶格排列整齐，与沉底材料结合更紧密等优势。具有耐高温，耐磨损，耐腐蚀，易导热的特点，凭借这些涂层，我们的产品被广泛应用于制作流化床和热氢化的反应器部件，CZ直拉单晶炉的导流筒部件，以及硅外延和GaN外延的托盘。
产品指标：
ü 材料：进口等静压高纯石墨
ü 纯度：小于5ppm
ü SIC涂层厚度：120µm±30µm(涂层厚度可根据客户要求定制)
ü 涂层表面粗糙度：6-8µm
ü 涂层后基座电阻率：0.0004-0.00045Microhm-m
ü 高均匀度和优异的热传导性
ü 耐电浆轰击
ü 极佳均温性
ü 高耐腐蚀性和稳定性
ü 理想的电阻特性
ü 使用寿命长
应用领域：
ü LED芯片产业MOCVD外延片承载石墨托盘
ü ICP蚀刻制程用之承载盘
ü 硅外延及GaN外延等各Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体半导体材料外延托盘
合能阳光
ü 提供各种规格碳化硅涂层石墨制品：承载盘，预热环，筛盘，顶针等相关制品
ü 可接受根据图纸定制加工业务
ü 质量稳定，交货期短
主要客户：
国内半导体芯片企业、LED光电企业等
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